Samsung готовит ещё более быстрый HBM4-чип: пропускная способность вырастет до 3,3 ТБ/с

Samsung представила свой первый чип HBM4 шестого поколения на выставке SEDEX 2025 в Южной Корее, но компания не собирается останавливаться на достигнутом. По сообщениям отраслевых источников, производитель уже разработал ещё более быстрый вариант HBM4, который будет официально представлен в начале следующего года на международной конференции ISSCC.

Как сообщает издание TheElec, презентация нового HBM4 состоится на выставке ISSCC, проходящей с 15 по 19 февраля 2026 года в Сан-Франциско, США. Во время корейского брифинга ISSCC, состоявшегося 26 ноября в Сеуле, эксперт SK Hynix и член комитета ISSCC Korea Ким Дон-гён заявил, что и Samsung, и SK Hynix готовят новые поколения HBM4-чипов к анонсу в следующем году.

Первый чип Samsung HBM4 объёмом 36 ГБ обеспечивал пропускную способность 2,4 ТБ/с. Новый вариант, как сообщается, достигает уже 3,3 ТБ/с — это прирост на 37,5%. Такой скачок связан с полностью переработанной стековой архитектурой и новым интерфейсом, что также улучшило энергоэффективность.

Во время брифинга Ким Дон-гён отметил:
«DRAM постоянно развивается, чтобы соответствовать требованиям по пропускной способности и энергоэффективности. HBM4 от Samsung Electronics и LPDDR6/GDDR7 от SK Hynix — продукты, отражающие этот тренд».

Ранее Samsung столкнулась с серьёзными проблемами в сегменте HBM из-за повышенного нагрева, однако компания постепенно улучшила работу своих решений благодаря постоянным обновлениям конструкции. Сообщается, что Samsung использует для HBM4 память стандарта 1c DRAM, тогда как Micron и SK Hynix применяют 1b DRAM. В теории это может обеспечить корейскому гиганту преимущество в производительности по сравнению с конкурентами.

Официальные подробности станут известны уже в начале следующего года, когда Samsung вынесет новые чипы HBM4 на международную сцену ISSCC.