Samsung представила прорывную сверхэкономичную память на базе FeFET

Samsung Electronics, один из крупнейших игроков на мировом рынке микросхем памяти, продолжает активно продвигать новые технологии, чтобы укреплять свои лидирующие позиции. Исследователи компании объявили о важном технологическом прорыве, который одновременно снижает энергопотребление и повышает плотность хранения данных.

Samsung представила ультраэнергоэффективную память, основанную на ферроэлектрических транзисторах (FeFET). Эта технология позволяет увеличить ёмкость чипов без роста энергозатрат. По данным компании, использование ферроэлектрического материала в памяти FeFET снижает энергопотребление до 96% в сравнении с традиционной NAND-памятью.

Фактически это означает, что новые чипы смогут хранить значительно больше данных при прежнем или даже меньшем энергопотреблении. Такой подход особенно важен для устройств, где критична энергоэффективность: мобильной техники, решений для периферийных вычислений и систем искусственного интеллекта.

Технология также решает фундаментальную проблему классической NAND-памяти: увеличение ёмкости обычно ведёт к росту потребления энергии, а попытка экономить энергию — к снижению ёмкости. Пока разработка существует в рамках исследовательского проекта, однако сам факт её анонса указывает на то, что Samsung рассматривает возможность внедрения FeFET в будущие продукты.

Спрос на память уже находится на рекордном уровне, и ожидаемый «суперцикл» рынка подогревается растущими потребностями производителей ИИ-чипов. Поэтому более энергоэффективные и более плотные решения — именно то, что рынку нужно в ближайшее время.