Samsung начала массовое производство 12-слойной HBM3E памяти для Nvidia

Компания Samsung начала массовый выпуск новых чипов HBM3E с 12-слойной архитектурой, ориентированных на использование в AI-ускорителях Nvidia. По данным ZDNet Korea, производство началось в феврале 2025 года после перевода одной из линий с пониженной загрузкой на полную мощность.

Новая память, новый шанс

Samsung уверена, что обновлённые HBM3E-чипы получат одобрение Nvidia — особенно после провала прошлогодней версии, которая не прошла тестирование американской компании. Тогда корейский гигант понёс серьёзные убытки, но теперь делает ставку на улучшенную память, основанную на DRAM-памяти пятого поколения (1a DRAM, 10-нм класс). Она должна обеспечить лучшую производительность и соответствовать строгим требованиям Nvidia.

Объёмы производства растут

Компания уже способна выпускать от 120 000 до 130 000 чипов HBM3E в месяц. Учитывая, что полный производственный цикл занимает около шести месяцев, Samsung начала выпуск заранее — чтобы накопить достаточный объём к моменту возможного утверждения со стороны Nvidia, которое ожидается в июне или июле. В противном случае начинать массовое производство позже будет уже слишком поздно.

Конкуренция не дремлет

Учитывая, что к концу года Nvidia может перейти на новую память HBM4 для следующего поколения ускорителей под кодовым названием Rubin, Samsung спешит с выпуском HBM3E. Компания рассчитывает, что накопленные запасы помогут ей сохранить позиции в сегменте высокопроизводительной памяти для ИИ.

Амбициозные цели на 2025 год

Samsung планирует удвоить производство HBM-памяти: с 4 миллиардов гигабит (Gb) в прошлом году до 8 миллиардов Gb в текущем. При этом в первом квартале было выпущено всего 600–800 миллионов Gb, что означает необходимость значительно нарастить темпы во втором полугодии.

Гонка за Nvidia продолжается — и для Samsung на кону не только деньги, но и престиж поставщика для мирового лидера в сфере ИИ.