TSMC начнёт использовать High-NA EUV в 2030 году
Автор: Илья Игнатов TSMC назвала срок перехода на литографию High-NA EUV. Компания рассчитывает начать использовать такие сканеры в серийном производстве с 2030 года.
Ранее TSMC не комментировала планы по High-NA EUV. Теперь компания признала, что полностью полагаться на системы Low-NA EUV бесконечно не сможет, и обозначила переход на 2030 год. При этом она не раскрыла, какой именно техпроцесс первым получит новую литографию.
По дорожной карте TSMC наиболее вероятными кандидатами выглядят A10 или A11. Эти узлы относятся к классу 1/1,1 нм, а компания уже подтвердила, что A12 и A13, запланированные на 2029 год, продолжат использовать обычную EUV-литографию. High-NA EUV появится на следующем поколении после них.
Сроки перехода на High-NA EUV
TSMC планирует запустить High-NA EUV сначала в высокосерийном производстве в 2030 году, используя обычные фотомаски формата 6×6 дюймов. Затем компания хочет в 2031 году построить пилотную линию с фотомасками 6×12 дюймов и к 2033 году перевести такие системы в производство по новым техпроцессам.
Установка High-NA EUV позволяет получить разрешение 8 нм при одном экспонировании. Нынешние системы Low-NA EUV дают 13 нм. При использовании масок 6×6 дюймов поле экспонирования у High-NA EUV вдвое меньше, чем у Low-NA, что усложняет работу с очень крупными кристаллами.
Из-за этого производителям больших AI-ускорителей приходится либо сшивать несколько полей экспонирования, либо переходить к многочиплетным конструкциям. Чтобы обойти ограничение по маскам, TSMC работает с ASML над переходом к формату 6×12 дюймов, а для такого шага, по словам компании, придётся менять не только инструменты, но и EDA‑ПО, оборудование для изготовления и записи масок, а также системы их обработки.
«Мы ожидаем, что внедрение High NA EUV будет постепенно расти по мере развития дорожной карты масштабирования устройств, сначала с использованием нынешних 6-дюймовых масок, а затем с поддержкой 12-дюймовых масок, которые повысят производительность сканеров и помогут отрасли удовлетворить спрос на более маленькие, быстрые и энергоэффективные чипы».
Кристоф Фуке, президент и CEO ASML
ASML говорит, что поддержку перехода уже выражают не только TSMC, но и Intel и Samsung. Для самой TSMC главным рубежом станет 2030 год, когда High-NA EUV должна перейти из стадии подготовки в массовое использование.
В апреле TSMC отложила покупку high-NA EUV машин ASML до 2029 года, и тогда речь шла лишь о том, что компания не собирается ставить такие установки на конвейер раньше этого срока.
