Samsung разрабатывает твердотельные накопители PCIe 4.0 и 5.0

Компания планирует представить устройства на базе V-NAND с 176 слоями. Скорость передачи данных — 2000 МТ/с, это позволяет Samsung создавать сверхбыстрые накопители с интерфейсами PCIe 4.0 и PCIe 5.0. В дисках будет использоваться новый контроллер, «оптимизированный для многозадачности больших рабочих нагрузок».

Но это ещё не всё. 176-слойные чипы выходят в массовое производство и компании нужно разработать что-то ещё более быстрое. Поэтому она уже построила память на основе V-NAND восьмого поколения, в которой более 200 слоёв. По словам Samsung, производство начнётся тогда, когда будет достаточный спрос на устройство на рынке. Но, если честь, что новую память в среднем выпускают раз в год или полтора, не трудно подсчитать, когда 8 поколение V-NAND выйдет в свет.

В процессе разработки производители сталкиваются с проблемами. Например, чтобы уменьшить размер ячеек NAND и сделать слои тоньше, нужно использовать новые материалы для надежного хранения зарядов. Затравка множества слоёв тоже непростая задача. В виду того, что протравливание сотен слоев (например, создание 1000-слойной пластины 3D NAND за один проход) нецелесообразно, производители используют наложение струн, которое также довольно сложно осуществлять в больших объемах.

Ещё вопрос в толщине стенок 3D NAND. Они должны быть достаточно тонкие, чтобы их можно было установить в смартфоны или ПК. Учитывая эти факторы легко понять, что невозможно просто постоянно увеличивать количество слоев. Но Samsung считает, что предел ещё не достигнут и разработать микросхемы с количеством слоев около 1 000 вполне возможно.

Кстати, Samsung есть с кем соревноваться. Недавно SK Hynix заявила, что планирует использовать  3D NAND с более чем 600 слоями. Учитывая, что производители не собираются удваивать количество слоёв каждый год, можно предположить, что у компаний планы минимум на 5-10 лет вперёд.