Samsung является крупным производителем микросхем хранения данных, и сегодня компания объявила о начале массового производства своих новейших микросхем NAND — QLC 9-го поколения V-NAND с объемом памяти 1 терабит (125 ГБ).

Ещё в апреле Samsung стала первой компанией, которая начала массовое производство 9-го поколения V-NAND с технологией TLC (трехуровневая ячейка). Теперь они модернизируют ее до решения с четырехуровневой ячейкой (QLC), что позволяет хранить 4 бита на ячейку.

Это приведет к увеличению скорости записи данных в два раза и снижению энергопотребления при чтении и записи данных на 30% и 50% соответственно.

Samsung начинает массовое производство микросхем QLC V-NAND на 1 ТБ (gsmarena 001 9)

Сунг Хой Хур, исполнительный вице-президент и руководитель подразделения флэш-продукции и технологий, отметил, что массовое производство пришло как раз вовремя, чтобы удовлетворить потребность Samsung в передовых решениях SSD в эпоху искусственного интеллекта.

Одним из технологических прорывов, позволивших создать QLC V-NAND, является травление отверстий в каналах. Samsung добилась большего количества слоев с помощью двухслойной структуры, при этом площадь ячеек и периферийных цепей были оптимизированы, что повысило плотность на 86% по сравнению с предыдущим поколением.

Samsung приняла технологию Designed Mold, которая позволила добиться однородности и оптимизации характеристик ячеек по слоям и внутри них. В результате эффективность хранения данных улучшилась на 20%, что привело к повышению надежности продукта.

Также снижено энергопотребление при чтении и записи данных, а новое решение удвоило производительность записи благодаря технологии, которая сводит к минимуму ненужные действия на чипе.

Чипы QLC V-NAND обычно используются в SSD. Это решение позже распространится на ПК, серверные SSD для облачных сервисов и универсальные флэш-накопители, в основном используемые в смартфонах.