Micron представила новое решение для хранения данных — UFS 4.0. Компания сообщила, что уже отправила квалификационные образцы «избранным мировым производителям смартфонов и поставщикам чипсетов».

Новая технология будет использоваться для производства накопителей емкостью 256 ГБ, 512 ГБ и 1 ТБ. Массовое производство начнется во второй половине этого года, поэтому первые смартфоны с хранилищем UFS 4.0 появятся ещё не скоро.

Это хранилище построено на 232-слойной флэш-памяти TLC. По заявлению компании, ее шестиплоскостная архитектура NAND обеспечивает более высокую пропускную способность произвольного чтения. По сравнению с хранилищем предыдущего поколения пропускная способность записи стала на 100 % выше, а чтения — на 75 % выше.

Micron UFS 4.0 обеспечивает скорость последовательного чтения до 4300 МБ/с и скорость последовательной записи до 4000 МБ/с. Это выше, чем у Samsung UFS 4.0.