В то время как объем памяти смартфона является одним из наиболее важных аргументов в пользу потребителя, тип хранилища часто упускается из виду. Большинство Android-смартфонов (и многие электронные устройства) используют UFS (универсальное флэш-хранилище), а большинство флагманов в настоящее время используют хранилище UFS 3.0 или 3.1.

Во вторник Samsung представила UFS 4.0, в которой используется память Samsung Gen 7 V-NAND и собственный контроллер со скоростью последовательного чтения до 4200 МБ/с и скоростью последовательной записи до 2800 МБ/с. Новая технология хранения также обеспечит повышение энергоэффективности на 46% при скорости последовательного чтения по сравнению с предыдущим поколением.

UFS 4.0 поддерживает до 23,2 Гбит/с, что вдвое больше, чем в UFS 3.1. Samsung может похвастаться такой пропускной способностью, которая «идеально подходит для смартфонов 5G, требующих обработки огромных объемов данных», и ожидает, что эта технология будет принята в VR, AR и автомобильных приложениях.

Новую технологию хранения данных можно настроить для поддержки до 1 ТБ хранилища. Возможно скоро появятся смартфоны с памятью больше чем 512 ГБ и 1 ТБ.

Samsung ожидает, что массовое производство накопителей UFS 4.0 начнется в третьем квартале. Возможно они появятся в серии Galaxy S23, которая должна выйти в первом квартале 2023 года.