TSMC и ученые из США создали сверхэкономичную память SOT-MRAM
Автор: Инженеры Техасского университета в Остине вместе с TSMC изготовили и испытали чипы с магнитной памятью SOT-MRAM, адаптированной под задачи искусственного интеллекта. Авторы работы называют эту память быстрой, экономичной и способной хранить данные без питания.
Характеристики памяти SOT-MRAM
В экспериментальных чипах переключение одного бита между 0 и 1 занимало около 2 наносекунд и требовало примерно 2 пикоджоулей энергии. В некоторых сценариях другие технологии памяти работают в разы или даже на порядки медленнее и расходуют сотни пикоджоулей на одну операцию.
У SOT-MRAM только два состояния — 0 или 1. Для многих ИИ-задач этого мало, поэтому исследователям пришлось перестроить алгоритмы под двоичное представление и при этом сохранить приемлемую точность вычислений.
Чипы проверили на нескольких задачах, включая инференс нейросетей, обучение бинарных нейросетей и вероятностное графовое моделирование. SOT-MRAM может быть полезна для периферийного ИИ, когда вычисления идут прямо на устройстве, а не в дата-центре, но до практического применения технологии еще далеко: нужно повысить стабильность параметров и сократить разброс между отдельными ячейками.
