Память DDR5 DRAM от SK hynix с разъемами

Южнокорейская компания SK hynix объявила о выпуске первой в мире памяти DDR5 DRAM. Это высокоскоростной продукт оптимизированный для больших данных, искусственного интеллекта и машинного обучения в качестве стандарта DRAM следующего поколения.

Оперативная память DDR5 SK hynix на белом фоне

Характеристики DDR5

DDR5 поддерживает скорость передачи данных со скоростью 4800~5600 Мбит/с, что в 1,8 раза быстрее, чем у предыдущего поколения — DDR4. Это позволяет передать 9 фильмов в формате Full HD всего за одну секунду. И это при условии что каждый из них весит 5 ГБ. При этом рабочее напряжение памяти составляет 1,1 В, что на 20% меньше чем у памяти DDR4.

Еще одна примечательная особенность DDR5 — это код исправления ошибок (ECC) внутри микросхемы, который может самостоятельно исправлять даже однобитовые ошибки. Благодаря ECC надежность приложений повысится в 20 раз. Также в новинке используется технология TSV, которая позволяет модулю памяти достигать объёма 256 ГБ.

Компания ожидает, что эти модули памяти снизят как энергопотребление, так и эксплуатационные расходы центров обработки данных, поскольку DDR5 потребляют меньше энергии и гораздо более производительны.

Никита Брытков
Ведущий аналитик новостного отдела itzine.ru, подготовивший свыше 8000 публикаций по актуальным вопросам цифровой индустрии. Фокусируется на информационной безопасности, изменениях в работе глобальных IT-сервисов и вопросах конфиденциальности личных данных. Экспертиза включает мониторинг обновлений операционных систем, развитие технологий искусственного интеллекта и анализ взаимодействия крупнейших технологических корпораций.

    Leave a reply