Чип Samsung LPDDR5X DRAM в демонстрации памяти со скоростью 8,5 Gbps

Samsung разрабатывает модуль памяти LPDDR5X как естественную эволюцию LPDDR5 и сегодня, южнокорейский гигант объявил, что чипы DRAM завершили проверку.

Новая память достигает скорости 8,5 Гбит/с, что является самой высокой скоростью в отрасли для DRAM. Раннее максимальная скорость составляла 7,5 Гбит/с. Её удалось достичь ещё в марте.

Задняя часть Vivo X200T с крупной камерной системой и логотипом Vivo

Технология LPDDR5X не нова на рынке. Уже очень много смартфонов работают на этой платформе, но новая память позволит достичь ещё более высоких скоростей с минимальной внутренней переделкой.

По словам Samsung, низкое энергопотребление и высокая производительность LPDDR5X делают его пригодным для приложений, выходящих за рамки смартфонов — ПК, серверов и автомобилей.

Очки Xiaomi Mijia с прозрачными стеклами в руке

Дэниел Ли, исполнительный вице-президент группы планирования продуктов памяти в Samsung, сообщил, что совместные усилия с Qualcomm по разработке памяти LPDDR5X DRAM со скоростью 8,5 Гбит/с позволили компании ускорить выход на рынок более чем на год.

Зиад Асгар, вице-президент по управлению продуктами Qualcomm, добавил, что компания из Сан-Диего первой в мобильной индустрии поддерживает новую самую быструю память на своих чипсетах.

Никита Брытков
Ведущий аналитик новостного отдела itzine.ru, подготовивший свыше 8000 публикаций по актуальным вопросам цифровой индустрии. Фокусируется на информационной безопасности, изменениях в работе глобальных IT-сервисов и вопросах конфиденциальности личных данных. Экспертиза включает мониторинг обновлений операционных систем, развитие технологий искусственного интеллекта и анализ взаимодействия крупнейших технологических корпораций.

    Leave a reply