Samsung представил первую память DDR5 DRAM класса 12 нм

Сегодня Samsung анонсировал обновленную версию 16-гигабайтной памяти DDR5 DRAM. Память построена на технологическом процессе класса 12 нм, обновляя 14-нм продукт EUV, представленный в настоящее время на рынке. Также было объявлено, что новая DDR5 DRAM совместима с продуктами AMD — она была оптимизирована и проверена на платформах Zen.

Джуён Ли, исполнительный вице-президент по продуктам и технологиям DRAM в Samsung, сказал, что новый стандарт станет ключевым фактором, способствующим распространению DDR5 DRAM на рынке. Он изготовлен с использованием нового материала, увеличивающего емкость элемента, и запатентованной технологии проектирования, улучшающей критические характеристики цепи.

Новая память DRAM основана на литографии EUV (экстремальное ультрафиолетовое излучение), обеспечивающей более высокую плотность матрицы и повышение производительности пластин на 20%. Он также потребляет на 23% меньше энергии, что открывает возможности для более экологичной работы IT-компаний. Ожидается, что первые карты памяти с новой DDR5 DRAM начнут поставляться в 2023 году.