Модуль DDR5 на 512 ГБ от Samsung (samsung logo black background)

Компания объявила о создании первого в мире модуля оперативной памяти DDR5 по технологии High‑K Metal Gate, объёмом 512 Гб. Она будет в два раза быстрее, чем DDR4 и потреблять меньше энергии. 

Технология High‑K Metal Gate это способ производства полупроводников с использованием диэлектриков, выполненных из материала. Преимущество в том, что у таких полупродников проницаемость больше, чем у диоксида кремния. High‑K Metal Gate начали применять ещё в 2018 году при производстве чипов GDDR6. 

Модуль DDR5 на 512 ГБ от Samsung ()

При помощи использования технологии межкремниевых соединений память DDR5 от Samsung объединяет восемь слоёв микросхем DRAM ёмкостью 16 ГБ каждый. Это обеспечит максимальную ёмкость в 512 ГБ. 

По словам компании, у новой памяти скорость передачи данных достигнет скорости 7200 Мбит/с. Для сравнения, DDR4 работает в два раза медленнее. К тому же, планка предыдущего поколения ещё и потребляет энергии на 13% меньше. 

DDR5 по технологии High‑K Metal Gate предназначается суперкомпьютерам для решения задач, связанных с искусственным интеллектом, машинным обучением и анализом больших массивов данных. Сейчас компания занимается тестированием новых модулей вместе с разными клиентами. 

0 комментариев
Межтекстовые Отзывы
Посмотреть все комментарии