Компания объявила о создании первого в мире модуля оперативной памяти DDR5 по технологии High-K Metal Gate, объёмом 512 Гб. Она будет в два раза быстрее, чем DDR4 и потреблять меньше энергии.

Технология High-K Metal Gate это способ производства полупроводников с использованием диэлектриков, выполненных из материала. Преимущество в том, что у таких полупродников проницаемость больше, чем у диоксида кремния. High-K Metal Gate начали применять ещё в 2018 году при производстве чипов GDDR6.

При помощи использования технологии межкремниевых соединений память DDR5 от Samsung объединяет восемь слоёв микросхем DRAM ёмкостью 16 ГБ каждый. Это обеспечит максимальную ёмкость в 512 ГБ.

По словам компании, у новой памяти скорость передачи данных достигнет скорости 7200 Мбит/с. Для сравнения, DDR4 работает в два раза медленнее. К тому же, планка предыдущего поколения ещё и потребляет энергии на 13% меньше.

DDR5 по технологии High-K Metal Gate предназначается суперкомпьютерам для решения задач, связанных с искусственным интеллектом, машинным обучением и анализом больших массивов данных. Сейчас компания занимается тестированием новых модулей вместе с разными клиентами.