MWC 2025: Micron анонсировала первое в мире хранилище UFS 4.1 и UFS 3.1 на базе G9

Компания Micron представила революционные чипы памяти UFS 4.1 и UFS 3.1, созданные по технологическому процессу G9. Новая флеш-память обеспечит повышенную энергоэффективность и скорость чтения/записи, а также оптимизированную работу AI-функций на смартфонах.

Технические характеристики Micron UFS 4.1 и UFS 3.1

Процесс: G9
Объемы памяти: 256 ГБ, 512 ГБ, 1 ТБ
Энергоэффективность: улучшена по сравнению с предыдущим поколением
Скорость работы: увеличена за счет новых алгоритмов управления данными

Новые чипы появятся в флагманских устройствах уже в 2026 году, следом за выходом оперативной памяти Micron 1y LPDDR5X.

Оптимизация AI-функций и новые программные возможности

Помимо аппаратных улучшений, Micron предлагает ряд программных оптимизаций, направленных на ускорение работы смартфонов и AI-задач.

Zoned UFS – увеличивает эффективность чтения и записи, снижает износ памяти
Data Defragmentation – повышает скорость перемещения данных на 60%
Pinned WriteBooster – ускоряет доступ к буферу на 30%
Intelligent Latency Tracker – автоматически анализирует задержки и оптимизирует производительность

Последняя функция поддерживается также на UFS 3.1, а остальные технологии доступны исключительно в UFS 4.1.

Перспективы и внедрение в устройства

Новые чипы Micron будут особенно востребованы в ультратонких и складных смартфонах, где критически важны производительность, энергоэффективность и компактные размеры.

С учетом ускоренной работы AI-алгоритмов, UFS 4.1 может стать стандартом для мобильных флагманов 2026 года.