Китай приблизился к 3-нм чипам на старых DUV-литографах

Китайская академия наук представила архитектуру транзисторов с круговым затвором GAA, которую испытали на оборудовании для DUV-литографии. Коэффициент включения и выключения превысил 500 000 раз, что теоретически соответствует характеристикам 3-нм техпроцесса. До промышленного производства такой продукции ещё далеко.

В отличие от транзисторов FinFET, конструкция GAA позволяет точнее контролировать ток и снижать утечки. Однако сами DUV-установки не могут напрямую формировать элементы с геометрией 3 нм. Для таких норм обычно используют многократную экспозицию и другие методы масштабирования.

Авторы разработки увеличили расстояние между транзисторами, сохранив необходимые электрические характеристики. По их оценке, такой подход позволяет получить эквивалент 3-нм технологии без применения EUV-литографии. Речь идёт именно о соответствии характеристик, а не о возможности одним проходом изготовить полноценный 3-нм чип.

Новая архитектура снимает часть ограничений на этапе FEOL, где формируются сами транзисторы. Но затем остаются этапы MEOL и BEOL, связанные с металлическими соединениями и разводкой слоя M0. Эти ограничения также потребуется решить, чтобы превратить экспериментальную технологическую возможность в промышленный процесс.