
Японская компания Kioxia, один из лидеров рынка флеш-памяти, обновила свою технологическую дорожную карту, представив перспективную 332-слойную NAND-память BiCS 10-го поколения. Новые чипы обеспечат плотность 2 ТБ на кристалл, сохраняя при этом высокую надежность.
332-слойная архитектура – новый максимум в отрасли
2 ТБ на один кристалл – вдвое больше текущих решений
Отказ от PLC (Penta-Level Cell) в пользу проверенных технологий
Повышенная долговечность по сравнению с конкурентами
Kioxia реализует инновационный подход к разработке NAND-памяти, разделив его на два направления:
Вертикальное масштабирование
Архитектура CBA (CMOS under Array)
«CBA позволяет нам увеличивать плотность, не жертвуя долговечностью, в отличие от PLC-решений», – отмечают в Kioxia.
Серия CM9
Серия LC9
XL-Flash SLC
В отличие от некоторых конкурентов, японская компания пока не планирует переход на пятибитные ячейки (PLC), делая ставку на совершенствование существующих технологий и повышение общей эффективности
Это позволяет предлагать более стабильные и долговечные решения по сравнению с PLC-накопителями, которые пока страдают от низкой выносливости.
С выходом BiCS 10 Kioxia укрепляет позиции в сегментах:
Ожидается, что первые образцы новых чипов появятся в 2025-2026 годах.