Intel превысила 1 млн пластин на High-NA EUV и продвигает 6×12-маски
Автор: Intel сообщила, что обработала более 1 млн 300-мм пластин на своих установках High-NA EUV. Компания достигла этого меньше чем за два с половиной года после сборки первого такого инструмента. Одновременно Intel работает над более крупными фотошаблонами 6×12 дюймов, чтобы упростить выпуск больших чипов и обойти склейку полей.
В это число Intel включает пластины, обработанные во время установки и сертификации оборудования, а также в НИОКР и производстве. Ранее в этом году компания сертифицировала использование High-NA EUV-сканеров для техпроцесса 18A, и сейчас эти инструменты применяются для выпуска части процессоров Panther Lake.
У Intel есть два сканера ASML Twinscan EXE:5000 и как минимум один EXE:5200B. По состоянию на конец февраля 2025 года компания обрабатывала около 30 000 пластин с помощью High-NA EUV, поэтому рост до более чем 1 млн к сентябрю 2026 года заметно увеличил накопленный объём.
6×12-маски вместо склейки полей
Сейчас Intel намерена использовать стандартные 6-дюймовые фотомаски. В такой схеме High-NA EUV-сканер экспонирует поле 26×16,5 мм, поэтому для крупных кристаллов приходится применять склейку полей.
Компания параллельно работает над масками 6×12 дюймов. Они должны позволить High-NA EUV экспонировать полный участок 26×33 мм за один проход, без stitching. По словам Intel, переход выглядит простым только на бумаге: изменение стандарта затронет blank-заготовки, осаждение, травление, инспекцию, метрологию, очистку, пелликулы, масочные писатели и системы обращения с масками.
Сама склейка полей у 0,55-NA EUV снижает производительность с 175 до 125 пластин в час на EXE:5200B. Кроме того, при таком подходе разработчикам приходится учитывать стык при проектировании, а две экспозиции должны совпасть с очень высокой точностью. Даже небольшое смещение способно исказить линии и переходные отверстия или повредить соединения, что особенно чувствительно для крупных CPU- и GPU-кристаллов.
При этом у ASML в дорожной карте указано, что все будущие High-NA EUV-сканеры, которые выйдут до и после 2033 года, рассчитаны на 6×6-дюймовые ретикулы и stitching. О внедрении крупных 6×12-масок в отрасли источник не уточняет.
В июле мы писали, что Intel начала серийно применять High-NA EUV-литографию при выпуске отдельных слоёв Panther Lake, а в этой новости компания уже говорит о более чем 1 млн обработанных 300-мм пластин. Тогда же речь шла о том, что технологию используют не на всём кристалле, а только для части слоёв, тогда как теперь Intel отдельно продвигает и переход к более крупным фотошаблонам 6×12 дюймов.
