ASML разрабатывает Hyper NA для печати элементов чипов размером 5 нм

Источник света нынешних систем, по их словам, можно будет применять без изменений. До возможного появления Hyper NA, по оценке разработчиков, около десяти лет.

ASML уже начала работу над Hyper NA, но решения о производстве установки ещё нет, сообщает Huawei Central. Проект описали инженеры компании и её партнёра по оптике Carl Zeiss в рецензируемой статье, опубликованной в октябрьском номере Journal of Micro/Nanopatterning, Materials and Metrology. Речь идёт о следующем поколении оборудования после систем High NA EUV, а не о готовой машине с объявленной датой поставок.

Разработчики хотят формировать элементы размером около 5 нм. Для сравнения, разрешение нынешних установок ASML класса High NA составляет около 8 нм: Hyper NA сможет печатать элементы более чем на треть мельче. Эти 5 нм обозначают разрешение литографической системы, а не название техпроцесса, по которому будут выпускать чипы.

Сравнение Hyper NA с High NA EUV

Hyper NA должна сохранить EUV-излучение с длиной волны 13,5 нм, которое используют нынешние установки. Изменение коснётся оптической системы: разработчики рассчитывают увеличить её числовую апертуру. У действующего оборудования High NA этот показатель равен 0,55.

Carl Zeiss уже способна изготавливать зеркала с точностью, необходимой для Hyper NA, говорится в статье инженеров. По их оценке, новая установка будет лишь немного крупнее систем High NA, сопоставимых по размерам с двухэтажным автобусом. Разработчики также рассматривают возможность использовать часть существующих технологий ASML, включая источник света, без изменений.

Уменьшение элементов микросхем остаётся одним из способов повысить их скорость и энергоэффективность, хотя производители совершенствуют чипы и за счёт конструкции. Литография при таком уменьшении становится ограничением. Для систем, которые превзойдут Hyper NA по разрешению, вероятно, понадобится свет с более короткой длиной волны; этот подход ещё находится на стадии исследований.