SK hynix представила 12-слойные стеки памяти HBM3 объёмом 24 Гбайт
![SK hynix представила 12-слойные стеки памяти HBM3 объёмом 24 Гбайт | Изображение 3 SK hynix представила 12-слойные стеки памяти HBM3 объёмом 24 Гбайт (sm.thumbnail 198.750)](/wp-content/uploads/2023/04/sm.thumbnail_198.750-750x400.jpg)
Компания SK hynix презентовала первые на рынке технологий стеки высокоскоростной памяти HBM3, которые состоят из 12 микросхем и обладают объёмом 24 Гбайт. Как стало известно, тестирование стеков уже началось.
Согласно пресс-релизу производителя, «Компания разработала новые 24-гигабайтные чипы памяти HBM3, ёмкость которых на 50 % больше, чем у предыдущего продукта, чьи массовые поставки начались в июне прошлого года. Мы сможем начать поставки новых чипов памяти во второй половине текущего года и будем готовы обеспечить спрос на высокоскоростную память на фоне роста популярности технологий специальных чат-ботов на базе ИИ».
![SK hynix представила 12-слойные стеки памяти HBM3 объёмом 24 Гбайт | Изображение 4 SK hynix представила 12-слойные стеки памяти HBM3 объёмом 24 Гбайт (hbm3 hynix 2)](/wp-content/uploads/2023/04/hbm3-hynix-2.jpg)
12-слойных стеков памяти HBM3 объёмом 24 Гбайт компания SK hynix были разработаны с использованием технологии Advanced Mass Reflow Molded Underfill, задачей которой является объединение нескольких чипов памяти на одной подложке посредством спайки, а также в работе применялись методы технологии сквозных соединений Through Silicon Via (TSV), которая позволяет сократить толщину одного стека памяти на 40 % и в итоге получить чип такой же высоты, как и у 16-гигабайтных стеков HBM3.