SK hynix представила 12-слойные стеки памяти HBM3 объёмом 24 Гбайт

Компания SK hynix презентовала первые на рынке технологий стеки высокоскоростной памяти HBM3, которые состоят из 12 микросхем и обладают объёмом 24 Гбайт. Как стало известно, тестирование стеков уже началось.

Согласно пресс-релизу производителя, «Компания разработала новые 24-гигабайтные чипы памяти HBM3, ёмкость которых на 50 % больше, чем у предыдущего продукта, чьи массовые поставки начались в июне прошлого года. Мы сможем начать поставки новых чипов памяти во второй половине текущего года и будем готовы обеспечить спрос на высокоскоростную память на фоне роста популярности технологий специальных чат-ботов на базе ИИ».

12-слойных стеков памяти HBM3 объёмом 24 Гбайт компания SK hynix были разработаны с использованием технологии Advanced Mass Reflow Molded Underfill, задачей которой является объединение нескольких чипов памяти на одной подложке посредством спайки, а также в работе применялись методы технологии сквозных соединений Through Silicon Via (TSV), которая позволяет сократить толщину одного стека памяти на 40 % и в итоге получить чип такой же высоты, как и у 16-гигабайтных стеков HBM3.