В смартфонах для ИИ может появиться память LLW вместо LPDDR
Производители смартфонов ищут способ ускорить локальный запуск крупных ИИ-моделей без роста нагрева и энергопотребления. По данным отраслевых инсайдеров, для этого разрабатывают новый тип оперативной памяти LLW, или Low Latency Wide DRAM, который должен стать альтернативой LPDDR в устройствах следующего поколения. Массовое внедрение технологии, если утечка подтвердится, ожидается не раньше второй половины 2027 года.
Проблема в пропускной способности памяти. Современные мобильные чипы уже умеют выполнять часть ИИ-задач на устройстве, включая работу с компактными языковыми моделями, однако LPDDR ограничивает скорость подачи данных к вычислительным блокам. В серверном сегменте эту задачу решают через HBM, память с высокой пропускной способностью, которая используется в ускорителях Nvidia и AMD для обучения и инференса моделей.
LLW, как утверждают источники, заимствует идею у HBM, но адаптирует ее под мобильный форм-фактор. Речь идет о более широкой шине и меньших задержках без сложной многослойной упаковки и требований к охлаждению, которые делают HBM непригодной для смартфонов. По оценке инсайдера Fixed Focus Digital, новая память может снизить энергопотребление примерно на 50% и дать прирост производительности около 1,5 раза по сравнению с нынешними решениями.
С этими цифрами есть оговорка. Публичных анонсов от производителей памяти или смартфонов пока не было, а вся информация исходит от блогеров и инсайдеров. В качестве возможных ранних заказчиков называют Xiaomi и Huawei, хотя ни одна из компаний технологию не комментировала.
Контекст для такого перехода есть. Флагманские смартфоны уже получают 12-16 ГБ оперативной памяти именно из-за локальных ИИ-функций, а стандарт LPDDR5X в топовых моделях близок к пределу, который удобен для тонких корпусов и пассивного охлаждения. Если индустрия действительно выведет LLW в серию к 2027 году, первыми кандидатами на новую память будут дорогие ИИ-смартфоны, а не массовые модели.
