За последние несколько лет Samsung понесла миллиардные убытки из-за проблем с высокоскоростной памятью (HBM). Теперь компания намерена исправить ситуацию, ускорив разработку HBM4. Южнокорейский технологический гигант планирует завершить разработку HBM4 в первой половине 2025 года.

Содержание

Ускоренная разработка HBM4

По сообщениям из Южной Кореи:

Samsung перенесла срок завершения Production Readiness Approval (PRA) — этапа готовности к массовому производству — на шесть месяцев раньше запланированного.
Изначально PRA для HBM4 ожидалось достичь к концу 2025 года, но теперь цель перенесена на первую половину года.

Эти изменения связаны с влиянием Nvidia, которая запланировала запуск нового AI-ускорителя (кодовое имя Rubin) в третьем квартале 2025 года. Каждый чип Rubin будет использовать четыре HBM4 памяти.

Подпишись на канал ForGeeks! Гаджеты, технологии и космос

Конкуренция с SK Hynix

Samsung сталкивается с жесткой конкуренцией со стороны SK Hynix:

SK Hynix уже готова представить свои HBM4-чипы к моменту запуска Rubin от Nvidia.
Генеральный директор Nvidia Дженсен Хуанг встретился с председателем SK Group Че Тэ Воном в ноябре 2024 года, чтобы ускорить разработку HBM4.
На CES 2025 Че Тэ Вон заявил, что HBM4 от SK Hynix развивается быстрее ожиданий Nvidia, что ставит Samsung под дополнительное давление.

Технологические особенности HBM4 от Samsung

Samsung использует 10-нм 6-е поколение DRAM (1c) для своих HBM4-чипов.
Первые успешные результаты по выходу годных чипов были получены в октябре 2024 года. Теперь компания работает над улучшением их качества.

Критическая важность успеха HBM4

Для Samsung крайне важно решить проблемы с перегревом и производительностью HBM4. Успех в этой области может существенно улучшить финансовую и рыночную перспективу компании, которая стремится вернуть утраченные позиции в сегменте памяти.