Samsung планирует завершить разработку HBM4 в первой половине этого года

За последние несколько лет Samsung понесла миллиардные убытки из-за проблем с высокоскоростной памятью (HBM). Теперь компания намерена исправить ситуацию, ускорив разработку HBM4. Южнокорейский технологический гигант планирует завершить разработку HBM4 в первой половине 2025 года.

Ускоренная разработка HBM4

По сообщениям из Южной Кореи:

• Samsung перенесла срок завершения Production Readiness Approval (PRA) — этапа готовности к массовому производству — на шесть месяцев раньше запланированного.
• Изначально PRA для HBM4 ожидалось достичь к концу 2025 года, но теперь цель перенесена на первую половину года.

Эти изменения связаны с влиянием Nvidia, которая запланировала запуск нового AI-ускорителя (кодовое имя Rubin) в третьем квартале 2025 года. Каждый чип Rubin будет использовать четыре HBM4 памяти.

Конкуренция с SK Hynix

Samsung сталкивается с жесткой конкуренцией со стороны SK Hynix:

• SK Hynix уже готова представить свои HBM4-чипы к моменту запуска Rubin от Nvidia.
• Генеральный директор Nvidia Дженсен Хуанг встретился с председателем SK Group Че Тэ Воном в ноябре 2024 года, чтобы ускорить разработку HBM4.
• На CES 2025 Че Тэ Вон заявил, что HBM4 от SK Hynix развивается быстрее ожиданий Nvidia, что ставит Samsung под дополнительное давление.

Технологические особенности HBM4 от Samsung

• Samsung использует 10-нм 6-е поколение DRAM (1c) для своих HBM4-чипов.
• Первые успешные результаты по выходу годных чипов были получены в октябре 2024 года. Теперь компания работает над улучшением их качества.

Критическая важность успеха HBM4

Для Samsung крайне важно решить проблемы с перегревом и производительностью HBM4. Успех в этой области может существенно улучшить финансовую и рыночную перспективу компании, которая стремится вернуть утраченные позиции в сегменте памяти.

Заключение

Скорость разработки и успех HBM4 станут определяющими факторами для Samsung в 2025 году, особенно на фоне сильной конкуренции со стороны SK Hynix.