SK hynix начала строить в США первую фабрику HBM за $4 млрд
Автор: SK hynix начала строительство в американском штате Индиана первой в США площадки для производства HBM, памяти для AI-систем. Компания планирует вложить в проект более $4 млрд и запустить массовый выпуск следующего поколения HBM во второй половине 2029 года.
О закладке фундамента компания сообщила в новостном разделе. Церемония прошла 27 августа в Вест-Лафайете на территории Purdue University, а среди гостей были губернатор Индианы Майк Браун, сенатор Тодд Янг, президент университета Митч Дэниелс и посол Южной Кореи в США Кан Гён Хва.
Чистая комната на предприятии должна заработать к октябрю 2028 года. После этого SK hynix начнет объемный выпуск HBM во второй половине 2029-го, а на этапе коммерческой работы площадка должна получить около 1000 сотрудников. Ранее SK hynix вложила 54 трлн вон в два новых завода памяти для ИИ.
На площадке будут заниматься advanced packaging, тестированием и R&D. Рядом с производственной линией компания построит Advanced Packaging R&D Testbed, где сможет вместе с заказчиками, университетами и партнерами разрабатывать и проверять новые технологии упаковки чипов, включая HBM.
SK hynix подписала меморандум о сотрудничестве с Purdue University по исследованиям в области системной интеграции и advanced packaging. Компания также сообщила о программе найма ветеранов USFK и о планах сформировать локальную экосистему из более чем 100 поставщиков материалов, компонентов и оборудования.
