Samsung первой в мире начала поставки 3-нм чипов
Компания Samsung на церемонии, рассказала о поставках первой партии своих 3-нм чипов, изготовленных с использованием GAA-транзисторов. Мероприятие состоялось на площадке, где расположена производственная линия V1, в кампусе Хвасон в Южной Корее.
На мероприятии присутствовало около 100 человек, в том числе высокопоставленные лица Министерства торговли, промышленности и энергетики Южной Кореи и все ключевые сотрудники Samsung. Также на мероприятии компания объявила об амбициозной цели «продвигаться вперёд с инновационными технологиями, чтобы стать лучшими в мире».
По данным Samsung Foundry, технологических препятствий в развитии 3-нм техпроцесса не было благодаря сотрудничеству с другими подразделениями Samsung, так и с производственными и инфраструктурными партнерами компании.
3-нм чипы Samsung используют транзисторную технологию GAA (Gate All Around); обеспечивая более эффективное энергопотребление и улучшенную производительность по сравнению с уже используемым FinFET. Новое решение будет использоваться для производства процессоров, предназначенных для серверов, центров обработки данных; а также передовые наборы микросхем для смартфонов, планшетов, носимых устройств, ноутбуков, настольных компьютеров и другой электроники.
Samsung начала разработку GAA в начале 2000-х годов и впервые успешно применила её при производстве 3-нм чипов в 2017 году. После нескольких лет исследований и испытаний началось производство. В частности, 3-нм чипы начнут поставляться китайской майнинговой компании.
