Nagare Labs заявила, что ячейка Z2RAM хранит данные 300 секунд при 85 °C
Стартап Nagare Labs, созданный при Технологическом институте Джорджии и поддержанный Пэтом Гелсингером, разрабатывает память для размещения прямо поверх ИИ-чипов.
Компания обещает совместить скорость SRAM с плотностью DRAM. В научных работах основателей описаны результаты испытаний ячейки.
По опубликованным данным, ячейка Z2RAM сохраняла данные более 300 секунд при температуре до 85 °C. Для первого поколения стартап прогнозирует плотность в пять раз выше, чем у SRAM, при шести слоях, скорость в 14 раз выше, чем у DRAM, и энергопотребление при чтении втрое ниже, чем у SRAM. Это прогнозы, а не продемонстрированные результаты.
ИИ-чипам нужна высокая пропускная способность памяти, но производителям трудно получать высокий выход годных чипов HBM. По сообщениям источника, некоторые компании могут ограничиться меньшим числом слоёв, чтобы повысить выход годных изделий. Нагрев усложняет вертикальную компоновку: Samsung планирует выпускать zHBM, где DRAM размещается непосредственно на процессоре, примерно с четырьмя слоями.
