Samsung согласилась использовать 3-нм процесс TSMC для памяти Nvidia
Samsung согласилась изменить производство памяти для Nvidia после пересмотра требований к компонентам NVHBM. Как сообщает Seoul Economic Daily, речь идёт о заказной высокоскоростной памяти, которую Nvidia представила в августе.
Для обычной продукции Samsung сохранит собственную производственную схему.
Nvidia попросила трёх поставщиков NVHBM — Samsung, SK hynix и Micron — изготавливать базовый кристалл по 3-нанометровому техпроцессу TSMC. Для кристаллов памяти компания указала технологию DRAM шестого поколения, известную как 1c. Подразделение Samsung, которое отвечает в том числе за контрактное производство микросхем, приняло эти требования после внутренней проверки.
Базовый кристалл находится в нижней части многослойного чипа HBM. Он выполняет логические функции, включая работу интерфейса и контроллера памяти; остальные кристаллы хранят данные. По сведениям Channel News Asia, в NVHBM контроллер Nvidia интегрирован в базовый кристалл. Electronics Weekly приводит заявленные Nvidia показатели: пропускная способность NVHBM может быть до 30% выше, а энергопотребление — на 15% ниже, чем у стандартной HBM4E.
Nvidia хочет унифицировать производство из-за различий в технологиях поставщиков. Если базовые кристаллы изготовлены разными способами, добиться одинаковых характеристик при одной конструкции сложнее. Общий техпроцесс также сокращает объём проверок продукции каждого производителя. По данным Electronics Weekly, Samsung и Micron подтвердили, что согласны с требованием Nvidia. Серийное производство ожидается в 2027 году.
Производство NVHBM и стандартной HBM у Samsung
Раньше Samsung сама производила оба типа кристаллов для всей своей HBM: память и базовый логический кристалл. Компания называла этот подход производством полного цикла. Заказ Nvidia меняет его только для NVHBM, архитектура которой основана на HBM4E седьмого поколения. Для стандартной HBM Samsung продолжит использовать собственные мощности.
В стандартных чипах HBM4 и HBM4E Samsung выпускает базовый кристалл по собственному 4-нанометровому техпроцессу. Компания начала серийное производство HBM4 ранее в 2026 году, а HBM4E проходит проверку перед массовым выпуском. Кристаллы памяти для обеих версий производят по технологии 1c на предприятиях Samsung в Хвасоне и Пхёнтхэке.
Четыре года назад Samsung и TSMC уже сотрудничали: компании проверяли совместимость процесса упаковки чипов при соединении HBM с графическими процессорами. К изготовлению компонентов самой памяти их совместная работа прежде не относилась. Базовые кристаллы NVHBM станут первым таким случаем.
Для заказной HBM других клиентов, включая AMD, Samsung также намерена сохранить производство полного цикла. Компания проверяет, сможет ли выпускать базовые кристаллы NVHBM на собственных мощностях. По словам отраслевого источника Seoul Economic Daily, этот вариант рассматривают на случай, если спрос на NVHBM превысит производственные возможности TSMC.
