Exynos 2600 с HPB показал меньше троттлинга, чем Snapdragon
Samsung в тестах блогера Geekerwan показала, что проблема перегрева мобильных SoC упирается не только в техпроцесс, но и в компоновку корпуса чипа. Exynos 2600 с технологией Heat Pass Block, где медный теплосъёмник ставится прямо на кристалл, удерживал частоты стабильнее, чем Snapdragon 8 Elite Gen 5, который охлаждали внешней системой на жидком азоте. Для смартфонного рынка это редкий случай, когда преимущество даёт не рост частот, а способ отвести тепло от памяти и вычислительных блоков.
По данным Geekerwan, проблема связана с распространённой схемой PoP, или Package-on-Package. При ней DRAM располагается поверх SoC, что экономит место на плате, но добавляет тепловую нагрузку на сам процессор. В результате чип быстрее упирается в температурный потолок и сбрасывает частоты под длинной нагрузкой, особенно в играх и бенчмарках с длительными сценами.
Samsung в Exynos 2600 пошла по промежуточному пути. Компания не отказалась от компактной упаковки полностью, но добавила Heat Pass Block, который отводит тепло напрямую с кристалла. В испытаниях это оказалось эффективнее, чем экстремальное охлаждение Snapdragon 8 Elite Gen 5: чип Qualcomm не удерживал пиковые 4,61 ГГц в одноядерном режиме даже с таким сценарием. Для мобильного процессора это звучит почти как лабораторная шутка, но вывод прикладной: смартфону полезнее грамотный теплосъём внутри, чем экзотика снаружи.
При этом у Exynos 2600 нет иммунитета от троттлинга. Внутри Galaxy S26+ он тоже снижает частоты на длинной дистанции, и Geekerwan связывает это уже не с самим корпусом чипа, а с системой охлаждения смартфона. У модели меньше испарительная камера, чем у Galaxy S26 Ultra, а навесной вентилятор на задней крышке возвращает процессор ближе к пиковой производительности. Это давно используют игровые бренды вроде RedMagic и Asus ROG Phone: внешние кулеры стали отдельным аксессуарным сегментом, потому что даже 3-нм и 2-нм чипы не отменяют законов термодинамики.
Тренд для отрасли здесь шире одного теста. Apple, MediaTek и Qualcomm тоже используют плотную упаковку памяти рядом с SoC, а значит сталкиваются с теми же ограничениями. Если утечки о Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro подтвердятся и Qualcomm перейдёт к аналогичной схеме отвода тепла, HPB может быстро стать стандартом для флагманов 2027 года. Samsung, в свою очередь, уже готовит для Exynos 2700 компоновку Side-by-Side, где память и процессор размещаются рядом на одной подложке. Это дороже по площади, но даёт производителю то, чего не хватает нынешним топовым чипам: устойчивую, а не витринную производительность.
