Samsung нарастит выпуск 286-слойной NAND в Китае в 8 раз
Американские экспортные ограничения осложняют обновление заводов памяти в Китае: для установки оборудования из США производителям нужны ежегодные разрешения.
Samsung Electronics и SK Hynix модернизируют свои предприятия в Сиане и Даляне для выпуска NAND-памяти с большим числом слоёв и конкуренции с китайской YMTC на фоне растущего спроса. Обе компании подтвердили, что согласовывают работы с властями США, но не раскрыли объёмы инвестиций.
На заводе Samsung в Сиане сейчас производят NAND примерно с 200 слоями. Компания намерена перевести часть выпуска на 286-слойные чипы V9 NAND. По информации источников Reuters, к декабрю 2026 года ежемесячный выпуск такой памяти должен достичь 5000 кремниевых пластин, а к декабрю 2027-го — вырасти до 40 000. При этом производство памяти прежнего поколения будут постепенно сокращать.
Предприятие в Сиане обеспечивает около 40% мирового выпуска NAND компании. Samsung заявляет, что модернизация не предполагает строительства новых заводов или расширения общих мощностей в Китае. Компания также утверждает, что её планы соответствуют американским правилам экспортного контроля.
SK Hynix обновляет завод в Даляне, который сейчас выпускает 192-слойную NAND. Следующая цель компании на этой площадке — память с 240 слоями и более. Предприятие перешло к SK Hynix в 2021 году после сделки с Intel. По неофициальным данным, американские власти разрешают выпускать там чипы с числом слоёв до 240 включительно; для более сложных технологий потребуется дополнительное согласование.
Ограничения на выпуск NAND в Китае
США ограничивают поставки оборудования для производства полупроводников в Китай с 2022 года. Samsung и SK Hynix должны каждый год получать лицензии на установку определённых видов оборудования американского происхождения. Вашингтон ранее предупреждал, что готов разрешать работу действующих предприятий, но не расширение их мощностей и не технологическую модернизацию. Поэтому компаниям приходится отдельно согласовывать обновление китайских площадок.
На китайском рынке NAND усилилась YMTC. По данным Omdia, её доля выросла с 28% по итогам 2025 года до 38,5% во втором квартале 2026-го. За тот же период доля Samsung снизилась с 36% до 33,5%, а SK Hynix — с 20% до 17%. Речь идёт о долях на рынке Китая, а не о мировых продажах памяти.
YMTC преимущественно выпускает NAND со 160 и 232 слоями, но уже производит небольшие партии 294-слойных чипов и готовится перейти к памяти с более чем 300 слоями. Число слоёв влияет на плотность хранения данных и потенциальную стоимость производства. За пределами Китая Samsung уже предлагает 286-слойную NAND и располагает прототипами с более чем 400 слоями, а SK Hynix выпускает память с числом слоёв до 321.
Модернизация китайских заводов должна помочь обеим компаниям удовлетворить растущий спрос на память, в том числе со стороны индустрии искусственного интеллекта. Сами компании подробно не раскрывают производственные планы для Сианя и Даляня. Известные сроки наращивания выпуска 286-слойной NAND в Сиане основаны на сведениях источников Reuters, а не на опубликованном Samsung графике.
