YMTC и CXMT сократили отставание от Samsung и SK hynix до 1—2 лет

Китайские производители памяти YMTC и CXMT быстро сокращают разрыв с Samsung и SK hynix. По оценке Корейской ассоциации полупроводниковой промышленности, в NAND Китай отстает примерно на год, в DRAM на два года, а в HBM на три года. Еще недавно разрыв оценивали примерно в пять лет.

В этой гонке Китай представляют YMTC, специализирующаяся на NAND, и CXMT, выпускающая DRAM. Быстрее всего Китай приближается к конкурентам в производстве флеш-памяти. Samsung и SK hynix начали переход к NAND с более чем 300 слоями в 2025 году, а YMTC уже освоила выпуск 270-слойных чипов.

В сегменте DRAM китайская компания пока уступает лидерам около двух лет. Samsung и SK hynix раньше освоили DDR5, однако CXMT уже производит LPDDR5X и приступает к освоению следующего поколения мобильной памяти. Для развития этих направлений компания работает без доступа к современным EUV-литографам, поставки которых в Китай заблокированы.

Прогресс CXMT в DRAM и HBM

В HBM отставание остается более заметным. Эта высокоскоростная память используется прежде всего в ускорителях искусственного интеллекта, а CXMT только начала пилотное производство HBM3E. Выход годных микросхем, согласно приведенным данным, составляет около 25%. Одной из главных технических проблем остается надежность вертикальных соединений между многочисленными слоями памяти.

Для ускорения разработки CXMT использует технологии, связанные с архитектурой X-Stacking компании YMTC, а также гибридное соединение медь-медь. Такой подход сокращает длину электрических соединений между слоями и позволяет обойти часть ограничений традиционной упаковки. Китайская компания также внедряет транзисторы High-k Metal Gate, которые помогают снижать токи утечки и энергопотребление при уменьшении размеров элементов.

Следующее поколение DRAM-техпроцесса G5, по имеющимся планам, может использовать нормы около 15 нм. Одновременно CXMT наращивает выпуск: компания рассчитывает довести производство примерно до 300 тыс. 300-мм пластин в месяц на трех предприятиях. Мощности для HBM могут составить около 50 тыс. пластин ежемесячно.

Планы китайских производителей памяти по выпуску NAND и DRAM

CXMT строит новые предприятия в Шанхае и Хэфэе. После их запуска совокупная мощность компании в перспективе может достичь 600 тыс. пластин в месяц. Если планы реализуют, к 2030 году CXMT потенциально сможет обойти американскую Micron по физическим объемам выпуска DRAM.

При этом больший объем выпуска сам по себе не означает технологического или финансового превосходства. Производственные планы показывают масштаб расширения, но не отменяют отставание CXMT в HBM и более раннее освоение ряда поколений памяти конкурентами.

YMTC также продолжает наращивать мощности. К началу 2027 года они могут достичь примерно 300 тыс. пластин в месяц, а после запуска двух новых предприятий вырасти до 450—500 тыс. к 2028 году. Для сравнения, мощности Samsung в NAND оцениваются примерно в 350 тыс. пластин в месяц к концу 2027 года.

Через несколько лет совокупный выпуск китайских производителей памяти может приблизиться к миллиону пластин ежемесячно. Технологический разрыв уже сократился с примерно пяти лет до одного года в NAND и двух лет в DRAM, а HBM остается наиболее сложным для догоняющих компаний сегментом.

Ранее сообщалось, что CXMT и YMTC заранее закупили DUV-литографы ASML для расширения производства примерно на три года. Тогда же отмечалось, что из-за экспортных ограничений компаниям недоступно EUV-оборудование, однако сегодняшняя оценка показывает, что это не помешало сократить отставание в NAND и DRAM до одного и двух лет соответственно.