CXMT начала рисковое производство HBM3E и приблизилась к чипам для ИИ-ускорителей
Автор: Китайская ChangXin Memory Technologies, крупнейший DRAM-производитель страны, начала рисковое производство памяти HBM3E, пишет The Information. Для компании это новый сегмент, хотя до ведущей тройки производителей, которые уже массово выпускают HBM4, CXMT еще отстает на одно поколение.
По данным издания, характеристики HBM3E от CXMT пока неизвестны. Речь идет о рисковом производстве, поэтому параметры серийных образцов могут отличаться от тех, что сейчас проходят обкатку. Ранее CXMT готовилась к LPDDR6 и прошла проверки.
HBM3E и оценки прогресса
Спецификация JEDEC для HBM3E уже хорошо известна: у таких модулей 1024-битный интерфейс памяти, скорость передачи данных до 9,6 GT/s на контакт и возможность собрать стек из 8 или 12 кристаллов памяти. В зависимости от скоростной категории HBM3E дает пропускную способность до 1,228 ТБ/с.
Объем конкретных стеков зависит от числа DRAM-кристаллов. При использовании 24-гигабитных чипов HBM3E может предлагать 24 ГБ в восьмикристальном исполнении или 36 ГБ в варианте с 12 кристаллами.
Несколько китайских разработчиков новых процессоров уже тестируют HBM3E от CXMT вместе со своими чипами, включая T-Head от Alibaba Group и Cambricon Technologies, говорится в сообщении. Если испытания и сертификация пройдут по плану, эти компании смогут начать использовать память CXMT в коммерческих продуктах уже в следующем году.
HBM считается одним из критически важных компонентов для современных ИИ-ускорителей. Если HBM3E от CXMT подойдет для процессоров Cambricon, T-Head и других китайских разработчиков, это снизит зависимость от Micron, Samsung и SK hynix при создании высокопроизводительного ИИ-оборудования.
HBM3E также остается достаточно мощной памятью для ИИ-ускорителей.
