Snapdragon 8 Elite Gen 6 получит техпроцесс 2 нм, память LPDDR6 и хранилище UFS 5.0
Qualcomm готовит первый 2-нм чипсет Snapdragon 8 Elite Gen 6, который дебютирует в конце 2026 года. Новинка перейдёт на память LPDDR6 и накопители стандарта UFS 5.0, обеспечив рост производительности и энергоэффективности, но и подорожание флагманов.
Qualcomm перейдёт на 2-нм техпроцесс TSMC
Snapdragon 8 Elite Gen 6 станет первым мобильным процессором Qualcomm, произведённым по 2-нм техпроцессу TSMC N2P. Это улучшенная версия базового узла N2, который будет применяться для будущих Apple A20 и A20 Pro. Переход на 2 нм обещает традиционный прирост — вышее быстродействие и меньший расход энергии по сравнению с текущими 3-нм решениями.
По данным инсайдера Digital Chat Station (Weibo), платформа также впервые поддержит оперативную память LPDDR6 и хранилище UFS 5.0. Такое сочетание должно ускорить запуск приложений, работу с файлами и снизить задержки в системных операциях.
Цена прогресса: рост себестоимости и новая сегментация
Переход на 2-нм архитектуру и обновлённые стандарты памяти почти наверняка повысит себестоимость чипа. Инсайдеры полагают, что Snapdragon 8 Elite Gen 6 появится не во всех флагманах 2026 года. Производители могут ограничить его использование самыми дорогими версиями смартфонов — например, моделями Ultra, тогда как обычные флагманы получат младшую версию Snapdragon 8 Gen 6.
Ранее представленный Snapdragon 8 Elite Gen 5, вышедший осенью 2025 года, уже демонстрировал заметный прирост мощности, но производился по 3-нм нормам. Новый Elite Gen 6 должен не только догнать, но и превзойти конкурирующий Exynos 2600, который Samsung выпускает по тому же 2-нм техпроцессу для линейки Galaxy S26.
