«Это значительный качественный скачок», сказал президент Micron по технологиям и продуктам Скотт ДеБур о флеш-памяти 3D NAND G11. Компания представила планы по её выпуску на технологическом вебинаре и сообщила, что разрабатывала новое поколение в том числе для будущих продуктов в сфере искусственного интеллекта. Массовое производство намечено на вторую половину 2027 года.
В названии новой памяти Micron перешла от девятого поколения сразу к одиннадцатому, пропустив G10. ДеБур связал этот переход с подготовкой памяти для будущих ИИ-продуктов. По сравнению с G9 компания обещает G11 примерно вдвое большую плотность хранения данных, ускорение интерфейса ввода-вывода до 50% и снижение энергозатрат при передаче данных. Производство самой памяти начнётся во второй половине 2027 года, а потребительские SSD с ней появятся позже.
Нынешняя память G9 содержит 276 слоёв, а у G11 их будет более 400. Плотность увеличится не только за счёт числа слоёв: Micron также говорит о новом производственном процессе и более плотном размещении ячеек. При этом компания не уточнила, для какого типа ячеек справедливо сравнение плотности. Показатели TLC и QLC напрямую сопоставлять нельзя.
| Параметр | G9 | G11 |
|---|---|---|
| Число слоёв | 276 | Более 400 |
| Плотность хранения | 21 Гбит/мм² для TLC | Примерно вдвое выше G9, по заявлению Micron |
| Скорость интерфейса | 3,6 Гбит/с | До 50% выше G9 |
| Энергия на передачу бита | База сравнения | Более чем на 25% ниже |
По известному показателю G9 для TLC издание ComputerBase оценило плотность G11 примерно в 42 Гбит/мм². Это расчётная величина, которую Micron не подтверждала. Скорость около 5,4 Гбит/с также получается при расчёте обещанного прироста от 3,6 Гбит/с у G9. Сама компания говорит об ускорении интерфейса до 50%.
Для G11 Micron планирует использовать соединение двух кремниевых пластин. Массив ячеек памяти и схемы ввода-вывода изготовят отдельно, после чего объединят. Такой подход ранее применили YMTC, затем Kioxia, SanDisk и Samsung. В дальнейших планах Micron упоминает архитектуру ячеек сверхвысокой плотности и материал с высокой подвижностью носителей заряда, но сроков их внедрения компания не назвала.
Micron не сообщила, сколько будет стоить память G11 и какие варианты ячеек, TLC или QLC, поступят в производство. Компания также не назвала дату выхода накопителей на её основе.