Huawei на форуме IEEE ISCAS 2026 в Шанхае заявила, что в течение пяти лет рассчитывает довести свои высокопроизводительные чипы до плотности транзисторов, сопоставимой с технологиями класса 1,4 нм. Компания подаёт это как ориентир для следующего поколения полупроводников и как часть курса на снижение зависимости Китая от зарубежных поставщиков оборудования и компонентов.
Деталей Huawei не раскрыла. Компания не показала независимых замеров, не назвала фабрику, тип транзисторов и набор инструментов проектирования, с которыми собирается выйти на такой уровень. Это важная оговорка: в отрасли обозначение «1,4 нм» давно перестало быть прямым описанием геометрии и скорее работает как маркетинговый класс техпроцесса, где реальное сравнение идёт по плотности, энергопотреблению и выходу годных кристаллов.
На фоне конкурентов заявление выглядит как заявка на длинную дистанцию. TSMC рассчитывает запустить 1,4-нм поколение A14 в 2028 году, Intel готовит техпроцесс 14A примерно на тот же период, а Samsung обещает следующий шаг после 2 нм к концу десятилетия. При этом китайские производители по-прежнему ограничены в доступе к EUV-литографии ASML, без которой массовый выпуск самых плотных чипов становится заметно дороже и сложнее.
Huawei уже показывала, что умеет двигаться в обход ограничений. В 2023 году компания вернула 5G-смартфоны на базе произведённых в Китае Kirin, а осенью 2026 года собирается выпустить новое поколение SoC Kirin с технологией Logic Folding, о которой ранее говорил топ-менеджер Хэ Тинбо. Реальная цена нынешнего обещания станет понятна по двум метрикам: сможет ли Huawei показать серийный выпуск, а не лабораторный образец, и насколько её чипы приблизятся к TSMC и Samsung не на слайде, а по ваттам и выходу годных пластин.