Компания CXMT объявила о массовом выпуске DRAM на технологической платформе пятого поколения G5. Анонс прошёл на Всемирной конференции производителей 2026 года в Хэфэе. На ней представили две микросхемы LPDDR5X для смартфонов и другой портативной электроники.
В основе G5 лежит дальнейшее уменьшение элементов памяти. Полушаг активной области массива составляет 11,95 нм. Для формирования рисунка CXMT использовала технологию самосовмещенного четырёхкратного формирования, известную как SAQP. По заявлению компании, по возможностям техпроцесса платформа приблизилась к самым современным решениям DRAM, которые уже выпускаются массово.
CXMT также изменила структуру ячеек памяти. Соотношение сторон конденсатора массива достигло 45:1, а технология металлического затвора с диэлектриком high-k, оптимизированная для DRAM, позволила уменьшить высоту массива ячеек до 6762 нм. При разработке платформы компания применяла цифровую двойниковую модель для подготовки производства, выпуска чипов и контроля выхода годной продукции. CXMT рассчитывает с её помощью ускорить разработку новых технологических процессов.
Переход на G5 увеличил плотность размещения кристаллов на кремниевой пластине. Показатель DPW, то есть количество кристаллов с одной пластины, оказался как минимум на 50% выше, чем у предыдущей технологической платформы CXMT. Компания связывает это с преимуществами в энергоэффективности и себестоимости производства.
Первыми продуктами на базе G5 стали две микросхемы LPDDR5X. Каждая получила ёмкость 24 Гбит на кристалл, что на 50% больше показателя сопоставимых решений предыдущего поколения. Микросхемы предназначены для смартфонов и другой портативной потребительской электроники.
| Продукт | Ёмкость кристалла | Корпус |
|---|---|---|
| LPDDR5X | 24 Гбит | 496 контактов |
| LPDDR5X | 24 Гбит | 245 контактов |
Обе версии уже находятся в массовом производстве. CXMT заявила, что продолжит развивать технологическую дорожную карту и выпускать следующие поколения памяти с высокой производительностью и надёжностью.