Исследователи Корейского института передовых технологий KAIST разработали умный транзистор — программируемый полупроводниковый элемент, который меняет скорость реакции под темп входящих данных. Как сообщает iXBT, разработка может стать основой для более экономичных ИИ-чипов в роботах, беспилотниках, носимой электронике и других системах реального времени.
Новый компонент назвали PDM, то есть Programmable Dynamic Memtransistor. Он совмещает функции транзистора и памяти: выполняет вычисления и сохраняет заданные свойства без постоянного питания. Скорость отклика здесь можно программировать заранее.
В основе PDM лежат два функциональных слоя. Один накапливает и обрабатывает заряд, второй захватывает электроны и задает скорость возврата устройства в исходное состояние после сигнала. Часть адаптации к разным типам данных переносится с программного уровня на аппаратный.
Во время испытаний мемтранзистор проверяли на временных рядах, где сочетались быстрые и медленные изменения, а также на данных рукописного ввода и движении объектов с разной скоростью. Параллельно исследователи собрали массив из нескольких PDM с разными временными характеристиками, который смог анализировать сигналы в нескольких масштабах сразу. В работе также участвовали специалисты Semiconductor R&D Center компании Samsung Electronics, а сами авторы отмечают совместимость технологии с материалами, которые уже используют в полупроводниковой промышленности.