Snapdragon 8 Gen 2 полностью решит проблему перегрева
15-17 ноября в Гавайях (США) компания Qualcomm проводит ежегодный саммит Snapdragon Technology Summit. Как обычно, Snapdragon 8 Gen 2 официально дебютирует.
В последние годы апгрейд флагманской платформы Snapdragon был несколько рисков, вкупе с проблемой энергопотребления и высоким уровнем потребления. На этот раз Snapdragon 8 Gen 2 выглядит многообещающе.
По данным инсайдера Ice Universe, по сравнению со Snapdragon 8+ Gen1, Snapdragon 8 Gen 2 повысит производительность процессора на 10%, энергоэффективность на 15%, производительность графического процессора на 20% и производительность искусственного интеллекта до 10%.
Также согласно информации, несколько крупных пользователей смартфонов начали тестировать Snapdragon 8 Gen 2, и результаты являются экологически безопасными, а энергоэффективность может повыситься как минимум на 15%.
Snapdragon 8 Gen 1 использует 5-нм техпроцесс Samsung, который вызывает вопросы. Последующая обновлённая версия Snapdragon 8+ Gen1 была изменена на 4-нм TSMC, что значительно снизило его производительность и энергоэффективность. Snapdragon 8 Gen 2 использует 4-нанометровый техпроцесс TSMC.
Первый смартфон с новым чипом
Официальный запуск первого флагманского телефона с процессором Snapdragon 8 Gen2 состоится в воскресенье.
Почти все китайские производители уже получили новый чип. 4-нм SoC получит совершенно новую восьмиядерную архитектуру «1 + 2 + 2 + 3». Cortex X3, который имеет прирост производительности на 22% по сравнению с Cortex X2, займёт место суперядра.
Xiaomi 13 станет первым смартфоном на новой платформе. 14 ноября смартфон должен быть представлен официально.
