Samsung представила память UFS 5.0 со скоростью 10,8 ГБ/с
Фото Samsung

Samsung Electronics анонсировала встроенную флеш-память UFS 5.0 для мобильных устройств. Новый стандарт рассчитан на смартфоны и другие компактные устройства с локальными ИИ-функциями, где задержка накопителя уже влияет не только на загрузку файлов, но и на работу моделей на самом устройстве. Массовое производство компания планирует начать в четвертом квартале 2026 года.

Главный параметр UFS 5.0 — это пропускная способность до 10,8 ГБ/с. Samsung заявляет скорость последовательного чтения до 10,8 ГБ/с и записи до 9,5 ГБ/с. По сравнению с UFS 4.1 это более чем двукратный прирост, если ориентироваться на цифры самой компании.

Производитель напрямую связывает новый накопитель с ростом числа локальных ИИ-сценариев. Речь идет о запуске больших языковых моделей на устройстве, генерации контента без обращения к облаку и обработке более крупных наборов данных на смартфоне. В такой схеме память перестает быть фоновым компонентом и становится частью вычислительной цепочки.

Характеристики UFS 5.0

  • Последовательное чтение до 10,8 ГБ/с
  • Последовательная запись до 9,5 ГБ/с
  • Энергоэффективность выше на 40%
  • Корпус 7,5 × 13 × 0,9 мм
  • Максимальный объем до 1 ТБ

Samsung также уменьшила размеры корпуса. Модуль UFS 5.0 имеет габариты 7,5 × 13 × 0,9 мм, что на 16,7% меньше предшественника. Для производителей смартфонов это означает чуть больше свободы при разводке платы, размещении аккумулятора и камер. Миллиметр в корпусе смартфона обычно конвертируется в маркетинг, реже в ремонтопригодность.

Отдельный акцент компания сделала на энергопотреблении. Повышение эффективности более чем на 40% Samsung объясняет управлением тактовой частотой и многовольтовой архитектурой. Для флагманских смартфонов это важный пункт: рост производительности памяти без сопоставимого роста энергопотребления нужен, если ИИ-функции работают постоянно, а не только в момент запуска приложения.

Стандарт UFS развивает организация JEDEC, и предыдущий крупный скачок в сегменте пришелся на UFS 4.0, который Samsung представила в 2022 году. Тогда верхняя планка составляла 23,2 Гбит/с на линию, и этот стандарт быстро закрепился во флагманских Android-смартфонах. Теперь компания поднимает потолок еще раз, в момент, когда производители устройств продвигают on-device AI как обязательную функцию топовых моделей.

На этом рынке Samsung конкурирует не только на уровне готовых чипов, но и на уровне влияния на экосистему компонентов. Свои решения для UFS выпускают также Kioxia, Western Digital и Micron, а в премиальном сегменте разница в скорости накопителя уже заметна в серийной съемке, локальном монтаже видео и загрузке моделей ИИ. По данным Counterpoint, в 2025 году доля смартфонов с генеративными ИИ-функциями в верхнем ценовом сегменте превысила половину поставок, и это подталкивает спрос на более быстрые накопители.

Сроки и устройства

Массовый выпуск UFS 5.0 начнется в четвертом квартале 2026 года. Samsung говорит о версиях разного объема, вплоть до 1 ТБ. Цены компания не раскрыла, что для компонентов на этом этапе типично: они зависят от контрактов с производителями устройств и объема заказа.

Первые серийные устройства с такой памятью логично ждать в флагманах 2027 года. Цикл интеграции компонентов в смартфоны занимает месяцы, а часть моделей фиксирует спецификации задолго до анонса. Если Samsung удержит заявленные показатели в реальных поставках, UFS 5.0 станет кандидатом для премиальных линеек Galaxy и для аппаратов других брендов, которые делают ставку на локальные ИИ-сценарии, а не только на число камер.

Елизавета Добровольская
Автор itzine.ru с 2021 года. Пишет о смартфонах, гаджетах, железе, искусственном интеллекте и космосе — в общем, обо всём, что есть в мире технологий. От новостей о складных флагманах и процессорах до репортажей о культуре и рынке электромобилей. Следит за индустрией внимательно, но без фанатизма.

Leave a reply