Hankyung сообщает, что Samsung завершила квалификацию 12-слойных чипов памяти HBM4E в конце сентября; испытания также проводили несколько крупных операторов дата-центров. Компания планирует выпускать их с учётом графика заказчиков.
Квалификационные испытания закончились в конце сентября. Они подтверждают, что продукт соответствует требованиям заказчика. Однако прохождение тестов не означает, что уже согласованы объёмы поставок, размер контрактов или дата начала серийных отгрузок. Эти сведения в публикации не приводятся.
HBM4E создана на основе архитектуры HBM4. Samsung увеличила скорость передачи данных и пропускную способность, а также улучшила энергоэффективность. В 12-слойной версии размещается 48 ГБ памяти. Скорость на контакт достигает 16 Гбит/с. По заявлению компании, это более чем на 20% выше показателя предыдущего поколения.
Samsung также сообщила, что энергоэффективность HBM4E на 16% выше, чем у HBM4. В составе чипа используются DRAM-память 1c, относящаяся к шестому поколению техпроцесса класса 10 нм, и логический кристалл, изготовленный подразделением Samsung Foundry по нормам 4 нм. Такое сочетание компания применяла и в HBM4.
В феврале Samsung объявила о начале серийных поставок HBM4, а в мае сообщила, что отправила глобальным заказчикам образцы HBM4E на 12 слоёв. Имена получателей тогда не раскрывали. По публикации Hankyung, квалификацию продукта завершили Nvidia и несколько крупных компаний, управляющих дата-центрами.
Samsung не подтвердила сведения о прохождении тестов и ответила, что не может их проверить. Ранее компания заявляла, что будет поставлять HBM4E по графикам заказчиков. Конкретные сроки серийных поставок после завершения квалификации не названы.
В апреле Samsung рассчитывала получить первые образцы HBM4E уже в следующем месяце — подготовку первых образцов HBM4E. Теперь история перешла от планов по образцам к завершённой квалификации, однако сроки серийных поставок не названы.