Samsung Electronics показала чип хранения данных V10 BV-NAND на выставке Future of Memory and Storage 2026. Новинка использует 10-е поколение вертикальной NAND-памяти. MobilityArena пишет, что для компании это шаг вперёд по сравнению с прошлым поколением таких чипов.
V10 BV-NAND построен на технологии wafer bonding. По данным источника, Samsung стала первой компанией в отрасли, которая вывела на рынок такую архитектуру. Чип может насчитывать более 400 слоёв и обеспечивает примерно на 58% более высокую плотность памяти, чем NAND-решения девятого поколения.
Samsung называет чип пригодным для рабочих нагрузок с большим потоком данных в реальном времени. В компании делают ставку на более высокую производительность при меньшем энергопотреблении. Это заложено в архитектуру V10 BV-NAND.
Сроки коммерческого запуска V10 BV-NAND Samsung не раскрыла. В материале указано, что чип может появиться раньше V11 NAND, а анонс следующего поколения ожидается в следующем году.