Чипы следующего поколения изготавливаются по 10-нм техпроцессу и занимают меньше места в телефонах по сравнению с предыдущими версиями.
Если вы думаете, что у вас никогда не будет слишком много оперативной памяти на вашем телефоне, у Samsung есть хорошие новости для вас.
Корейский гигант электроники в четверг объявил о начале производства новых 12 ГБ чипов памяти LPDDR4X. Хотя версия Samsung Galaxy S10 Plus в керамическом корпусе уже поставляется с 12 ГБ ОЗУ, там не используется этот новый модуль — вместо этого там стоит более старая память, изготовленная по технологии 20 нм.
Новый чип на 12 ГБ использует техпроцесс 10 нм, который, по словам Samsung, обеспечивает больше места внутри телефона для аккумулятора при минимальном энергопотреблении. Телефоны с этим новым модулем памяти смогут легко работать с более чем пятью камерами, экранами больших размеров, AI и 5G. По словам Samsung, многозадачность на телефоне с 12 ГБ оперативной памяти также будет намного более гибкой.
«С LPDDR4X мы укрепляем свои позиции в качестве производителя мобильной памяти премиум-класса, наилучшим образом способной удовлетворить быстрорастущий спрос со стороны мировых производителей смартфонов», — сказал Сьюон Чун, исполнительный вице-президент по маркетингу памяти в Samsung Electronics в пресс-релизе.
