Китайская Naura Technology Group сообщила о двухэтапном процессе травления, который может пригодиться при выпуске 3D DRAM. Компания утверждает, что метод помогает равномерно обрабатывать структуры минимум с 64 парами слоёв и повышать плотность памяти за счёт вертикального масштабирования.
3D DRAM — это направление развития оперативной памяти, где упор делают не на уменьшение элементов в горизонтальной плоскости, а на многослойные вертикальные структуры. Для китайских производителей этот путь важен, поскольку доступ к EUV-литографии остаётся ограниченным.
Процесс Naura рассчитан на структуры с чередующимися слоями кремния и кремний-германия. При производстве 3D DRAM часть слоёв SiGe нужно селективно удалить, чтобы подготовить пространство для будущих элементов памяти и не повредить кремний между ними.
По схеме Naura сначала нейтральные фторсодержащие радикалы в основном воздействуют на SiGe и почти не затрагивают кремний. Затем используется плазменная очистка, которая убирает побочные продукты реакции, мешающие равномерному травлению нижних слоёв. Компания заявила о селективности выше 500:1 и равномерности обработки более 95% для структуры из 64 пар слоёв.
Разработка может заинтересовать китайских производителей памяти, включая CXMT, которая старается сократить отставание от Samsung, SK hynix и Micron. Вертикальное масштабирование позволит наращивать плотность DRAM без сильной зависимости от дальнейшего уменьшения размеров элементов.