Micron прекратила коммерческую разработку памяти с ячейками 4F², поскольку не обнаружила ожидаемого преимущества по плотности. Компания сочла эту конструкцию слишком сложной и дорогой для производства и сосредоточится на трёхмерной DRAM.
Ячейка 4F² теоретически занимает на кристалле на 33% меньше места, чем применяемая сегодня 6F². Это позволило бы разместить на той же площади больше ячеек. Однако, по оценке Micron, реального выигрыша в плотности нет, а производство обходится дороже и требует более сложного процесса.
На мероприятии 21 октября Скотт Дебур, президент Micron и директор по технологиям и продуктам, заявил, что компания сама разработала 4F² DRAM. Micron изучала этот вариант около 20 лет, но не стала его развивать из-за сложности и затрат. Как сообщает Seoul Economic Daily, Дебур сказал, что изготовить такую память можно, но усомнился в её предполагаемом преимуществе перед 6F² и указал на принципиальные ограничения дальнейшего уменьшения ячеек.
После нынешнего поколения 1-gamma Micron намерена начать массовое производство DRAM поколения 1-delta во второй половине 2027 года. Следующим в дорожной карте идёт 1-epsilon: для его выпуска компания планирует использовать технологию соединения пластин. Срок начала производства этого поколения в сообщениях не указан.
Micron также представила разработку, которую называет вертикальной памятью с высокой пропускной способностью, или вертикальной HBM. В описанной компанией компоновке память располагается непосредственно над процессором, а обычная HBM — рядом с ним. Дату выхода этой разработки компания не назвала.
В дальнейшей дорожной карте Micron обозначены трёхмерные архитектуры 3D1 и 3D2 — между поколениями 1-zeta и 1-eta. Компания продолжает изучать литографию High-NA EUV и новые материалы. Сроки появления готовых чипов не указаны.
Другие производители продолжают работу над этой конструкцией. Samsung Electronics и SK hynix исследуют вариант с вертикальным каналом транзистора, который должен помочь добиться такого размера ячейки. Для этих компаний 4F² остаётся направлением разработки, тогда как Micron после собственных исследований решила его не использовать.
О намерении коммерциализировать серверную DRAM с ячейками 4F² также объявляла китайская CXMT. После сообщений об этом котировки производителей памяти, включая южнокорейские компании, ненадолго снизились. Срок выпуска такой памяти в приведённых данных не указан.
Оценка Micron касается ожидаемой плотности ячеек 4F² и стоимости производства. Samsung Electronics, SK hynix и CXMT продолжают работу в этом направлении; результаты их разработок в сообщениях не приводятся. Ближайший названный срок в планах Micron — массовый выпуск 1-delta во второй половине 2027 года.